• A
  • A
  • A
  • АБB
  • АБB
  • АБB
  • А
  • А
  • А
  • А
  • А
Обычная версия сайта
vision- moonstyle.info- moonstyle.info- moonstyle.info
ФКН
vision- moonstyle.info- moonstyle.info- moonstyle.info
Контакты

Адрес: Санкт-Петербург, ул. Победы, д.34
Телефон: 8(88)
Факс: 8(88)
Эл. почта: moonstyle.info

     
Руководство
и.о. директора, научный руководитель Крук Евгений Аврамович
Заместитель директора Абрамешин Андрей Евгеньевич
Заместитель директора Романов Виктор Владимирович
Заместитель директора Костинский Александр Юльевич
Заместитель директора Прохорова Вероника Борисовна
Заместитель директора по учебной работе Тумковский Сергей Ростиславович
Заместитель директора по научной работе Аксенов Сергей Алексеевич
Образовательные программы
Бакалаврская программа

Инфокоммуникационные технологии и системы связи

4 года
Очная форма обучения
50/10/5
50 бюджетных мест
10 платных мест
5 платных мест для иностранцев
RUS
Обучение ведётся на русском языке
Бакалаврская программа

Информатика и вычислительная техника

4 года
Очная форма обучения
100/50/15
100 бюджетных мест
50 платных мест
15 платных мест для иностранцев
RUS
Обучение ведётся на русском языке
Бакалаврская программа

Информационная безопасность

4 года
Очная форма обучения
30/20
30 бюджетных мест
20 платных мест
RUS
Обучение ведётся на русском языке
Программа специалитета

Компьютерная безопасность

5,5 лет
Очная форма обучения
30/45/1
30 бюджетных мест
45 платных мест
1 платное место для иностранцев
RUS
Обучение ведётся на русском языке
Бакалаврская программа

Прикладная математика

4 года
Очная форма обучения
80/40/6
80 бюджетных мест
40 платных мест
6 платных мест для иностранцев
RUS
Обучение ведётся на русском языке
Магистерская программа

Инжиниринг в электронике

2 года
Очная форма обучения
30/5/2
30 бюджетных мест
5 платных мест
2 платных места для иностранцев
RUS
Обучение ведётся на русском языке
Магистерская программа

Интернет вещей и киберфизические системы

2 года
Очная форма обучения
20/5/2
20 бюджетных мест
5 платных мест
2 платных места для иностранцев
RUS
Обучение ведётся на русском языке
Магистерская программа

Компьютерные системы и сети

2 года
Очная форма обучения
50/15/2
50 бюджетных мест
15 платных мест
2 платных места для иностранцев
RUS
Обучение ведётся на русском языке
Магистерская программа

Математические методы моделирования и компьютерные технологии

2 года
Очная форма обучения
20/5/3
20 бюджетных мест
5 платных мест
3 платных места для иностранцев
RUS
Обучение ведётся на русском языке
Магистерская программа

Материалы. Приборы. Нанотехнологии

2 года
Очная форма обучения
20/10/2
20 бюджетных мест
10 платных мест
2 платных места для иностранцев
RUS
Обучение ведётся на русском языке
Магистерская программа

Системы управления и обработки информации в инженерии

2 года
Очная форма обучения
25/5/2
25 бюджетных мест
5 платных мест
2 платных места для иностранцев
RUS
Обучение ведётся на русском языке
Магистерская программа

Суперкомпьютерное моделирование в науке и инженерии

2 года
Очная форма обучения
20/5/4
20 бюджетных мест
5 платных мест
4 платных места для иностранцев
RUS/ENG
Обучение ведётся на русском и английском языках
Книга
Инновационная экономика и технологическое предпринимательство: комплекс методических материалов по практическим работам слушателей курса

Ступин Р. С., Эрман М. А., Крицын А. А. и др.

М.: АО "РВК", 2018.

Статья
Influence of the random walk finite step on the first-passage probability

Клименкова О. Д., Menshutin A., Shchur L.

Journal of Physics: Conference Series. 2018. Vol. 955. No. 012009. P. 1-6.

Глава в книге
Investigation and development of the intelligent voice assistant for the Internet of Things using machine learning

Rolich A., Polyakov Y. V., Voskov L. et al.

In bk.: 2018 Moscow Workshop on Electronic and Networking Technologies (MWENT). Proceedings. M.: IEEE, 2018. P. 1-5.

Препринт
On properties of the Wang-Landau algorithm

Shchur L.

math. arxive. Cornell University, 2018. No. 1808.09251.

Доклады наших аспирантов получили высокую оценку на XIX Международной конференции «Радиационная физика твердого тела»

С 8 по 13 июля 2019 года в г. Севастополе проходила XIX Международная конференция «Радиационная физика твердого тела». Организатор конференции – Федеральное государственное бюджетное научное учреждение «Научно-исследовательский институт перспективных материалов и технологий (ФГБНУ «НИИПМТ») Министерства науки и высшего образования РФ, председатель Оргкомитета конференции – ординарный профессор Moonstyle, заслуженный деятель науки Российской Федерации Бондаренко Геннадий Германович.

В конференции приняли участие около 100 специалистов из вузовских, академических и отраслевых организаций России и стран СНГ (Армении, Азербайджана, Белоруссии, Казахстана, Узбекистана). Обсуждались процессы образования, миграции и эволюции радиационных дефектов в твердых телах, радиационно-технологические методы модифицирования и обработки материалов с целью улучшения их эксплуатационных свойств, эффекты радиационно-стимулированной диффузии, радиационно-индуцированной сегрегации компонентов в сплавах, радиационного блистеринга, порообразования и вакансионного распухания в облученных материалах, радиационного упрочнения и разупрочнения, а также структурно-фазовых превращений в материалах под действием нейтронного, гамма-, ионного, электронного излучений, влияния космической радиации на структуру и физические свойства материалов космической техники, трекообразования в материалах, облученных тяжелыми ионами высоких энергий и использования трековых мембран для создания металлических нанопроволок различных типов, механизмы радиационного повреждения материалов при воздействии высокотемпературной плазмы, формирования при облучении кремниевых светоизлучающих наноматериалов, деградации полупроводниковых фотоэлектрических преобразователей при ионизирующем облучении, воздействия плазменных ударных волн на структуру и свойства сверхпроводников и др. Особое внимание было уделено проблеме повышения радиационной стойкости материалов атомной энергетики в связи с продлением эксплуатации существующих и создаваемых ядерных энергетических установок с 30 до 60 лет и сопутствующей проблеме разработки малоактивируемых конструкционных и функциональных материалов для ядерных реакторов.

На конференции с устными докладами, подготовленными под руководством д.ф.-м.н., проф. Бондаренко Г.Г., выступили (см. фото) аспиранты Moonstyle Долуденко И.М. (доклад «Электрохимическое заполнение ядерных фильтров (трековых мембран) для получения нанопроволок переменного состава») и Епифанов Н.А. (доклад «Повреждаемость монокристалла кремния импульсными потоками ионов гелия и гелиевой плазмы»).

В работе И.М. Долуденко методом матричного синтеза, основанном на электрохимическом заполнении пор матриц - трековых (ядерных) мембран - различными металлами, были получены нанопроволоки переменного состава (гетероструктурные нанопроволоки), заданной геометрии с высокой периодичностью, состоящие из слоев Cu/Ni, Cu/Co. Предложен новый способ точного контроля толщины отдельных слоев и периодичности получаемых структур. Определены оптимальные режимы получения нанопроволок, изучены их магниторезистивные свойства, методами просвечивающей электронной микроскопии, растровой электронной микроскопии, ренгеноструктурного анализа проведено исследование их структуры.  Обнаружено, в частности, влияние геометрии магнитного слоя в ансамбле нанопроволок на магнитные характеристики образцов. Полученные структуры могут применяться в качестве датчиков магнитного поля, действие которых основано на эффекте гигантского магнитосопротивления, компонент нанокапсул для локальной доставки лекарств и др.

В работе Н.А. Епифанова исследована повреждаемость пластины монокристаллического кремния, выращенного в направлении [111], мощными импульсными потоками ионов гелия и гелиевой плазмы, создаваемыми в установке Плазменный фокус (ПФ). При этом диапазон плотности мощности излучения q, падающего на образец-мишень, простирался от мягкого режима облучения, не вызывающего оплавления поверхностного слоя (ПС), до жесткого режима, генерирующего процессы плавления и испарения ПС, а также образование и распространение в объеме облучаемого материала ударной волны. Результаты экспериментов показали, что при невысоких значениях плотности мощности излучения (q = 106-107Вт/см2) повреждаемость кремния обусловлена его поверхностным распылением преимущественно в зоне механических дефектов, в то время как при более интенсивном облучении (108 < q ≤ 1011 Вт/см2) реализуются процессы расплавления и испарения поверхностного слоя с образованием структурных дефектов в виде блистеров, кратеров, микротрещин. Специфика повреждаемости монокристалла Si при высокой плотности мощности и большом числе импульсных пучково-плазменных воздействий (q ≥109 Вт/см2, N=50) связана с тем, что после облучения Si мишени в указанном режиме многократно расплавленный и затвердевший поверхностный слой становится очень хрупким, легко распадается на мелкие частицы типа порошка и отделяется от материала-основы. Данный результат является следствием влияния термических напряжений в сочетании с имплантацией в материал ионов гелия с энергией E >100 кэВ и их коагуляцией в блистеры и поры, а также воздействием ударных волн, генерируемых в Si мишени при жестких режимах облучения.

Доклады вызвали большой интерес и получили высокую оценку участников конференции.

Труды конференции объемом 494 страниц опубликованы.

Конференция предоставила прекрасную возможность обмена опытом и научными результатами широкого круга ученых и специалистов, что, несомненно, послужит стимулом для дальнейшего развития теоретических и прикладных исследований в области радиационной физики твердого тела.