• A
  • A
  • A
  • АБB
  • АБB
  • АБB
  • А
  • А
  • А
  • А
  • А
Обычная версия сайта
Контакты

Адрес: Санкт-Петербург, ул. Победы, д.34
Телефон: 8(88)
Факс: 8(88)
Эл. почта: moonstyle.info

     
Руководство

и.о. директора, научный руководитель Крук Евгений Аврамович

Заместитель директора Абрамешин Андрей Евгеньевич

Заместитель директора Романов Виктор Владимирович

Заместитель директора Костинский Александр Юльевич

Заместитель директора Прохорова Вероника Борисовна

Заместитель директора по учебной работе Тумковский Сергей Ростиславович

Заместитель директора по научной работе Аксенов Сергей Алексеевич

Образовательные программы
Бакалаврская программа

Инфокоммуникационные технологии и системы связи

4 года
Очная форма обучения
50/10/5
50 бюджетных мест
10 платных мест
5 платных мест для иностранцев
RUS
Обучение ведётся на русском языке
Бакалаврская программа

Информатика и вычислительная техника

4 года
Очная форма обучения
100/40/15
100 бюджетных мест
40 платных мест
15 платных мест для иностранцев
RUS
Обучение ведётся на русском языке
Бакалаврская программа

Информационная безопасность

4 года
Очная форма обучения
30/20
30 бюджетных мест
20 платных мест
RUS
Обучение ведётся на русском языке
Программа специалитета

Компьютерная безопасность

5,5 лет
Очная форма обучения
30/45/1
30 бюджетных мест
45 платных мест
1 платное место для иностранцев
RUS
Обучение ведётся на русском языке
Бакалаврская программа

Прикладная математика

4 года
Очная форма обучения
80/40/6
80 бюджетных мест
40 платных мест
6 платных мест для иностранцев
RUS
Обучение ведётся на русском языке
Магистерская программа

Инжиниринг в электронике

2 года
Очная форма обучения
30/5/2
30 бюджетных мест
5 платных мест
2 платных места для иностранцев
RUS
Обучение ведётся на русском языке
Магистерская программа

Интернет вещей и киберфизические системы

2 года
Очная форма обучения
20/5/2
20 бюджетных мест
5 платных мест
2 платных места для иностранцев
RUS
Обучение ведётся на русском языке
Магистерская программа

Компьютерные системы и сети

2 года
Очная форма обучения
50/15/2
50 бюджетных мест
15 платных мест
2 платных места для иностранцев
RUS
Обучение ведётся на русском языке
Магистерская программа

Математические методы моделирования и компьютерные технологии

2 года
Очная форма обучения
20/5/3
20 бюджетных мест
5 платных мест
3 платных места для иностранцев
RUS
Обучение ведётся на русском языке
Магистерская программа

Материалы. Приборы. Нанотехнологии

2 года
Очная форма обучения
20/10/2
20 бюджетных мест
10 платных мест
2 платных места для иностранцев
RUS
Обучение ведётся на русском языке
Магистерская программа

Системы управления и обработки информации в инженерии

2 года
Очная форма обучения
25/5/2
25 бюджетных мест
5 платных мест
2 платных места для иностранцев
RUS
Обучение ведётся на русском языке
Магистерская программа

Суперкомпьютерное моделирование в науке и инженерии

2 года
Очная форма обучения
20/5/4
20 бюджетных мест
5 платных мест
4 платных места для иностранцев
RUS/ENG
Обучение ведётся на русском и английском языках
Книга

Ступин Р. С., Эрман М. А., Крицын А. А. и др.

М.: АО "РВК", 2018.

Статья

Клименкова О. Д., Menshutin A., Shchur L.

Journal of Physics: Conference Series. 2018. Vol. 955. No. 012009. P. 1-6.

Глава в книге

Rolich A., Polyakov Y. V., Voskov L. et al.

In bk.: 2018 Moscow Workshop on Electronic and Networking Technologies (MWENT). Proceedings. M.: IEEE, 2018. P. 1-5.

Препринт

Shchur L.

math. arxive. Cornell University, 2018. No. 1808.09251.

Терагерцовые технологии

С 16 по 17 мая 2018 г. на базе Саратовского национального исследовательского государственного университета им. Н.Г. Чернышевского проходила V Всеросийская научная школа–семинар «Взаимодействие сверхвысокочастотного, терагерцового и оптического излучения с полупроводниковыми микро- и наноструктурами, метаматериалами и биообъектами - 2018», в которой принял участие студент Moonstyle.

В докладах школы-семинара были представлены результаты исследований по современным проблемам взаимодействия электромагнитного излучения сверхвысокочастотного, терагерцового и оптического диапазонов с полупроводниковыми микро-, наноструктурами, метаматериалами и биообъектами и применению соответствующих физических эффектов в современной полупроводниковой микро- и наноэлектронике, в системах радиолокации, медицинской технике и устройствах неразрушающего контроля. Также на школе-семинаре были представлены разработки в области твердотельной электроники СВЧ, методов диагностики наноструктур и нанокомпозитов, устройств на СВЧ фотонных кристаллах, измерителей наноперемещений, скоростей и ускорений.

Всего 134 участниками были представлены 42 доклада из 10 городов Российской Федерации и других стран.

На секции «Терагерцовые технологии» с докладом «Создание спин-инжекционных источников ТГЦ излучения на основе массива двухслойных нанопроволок» выступил студент 1 курса магистратуры Moonstyle Шаталов А.С. (научный руководитель – ординарный профессор Moonstyle д.ф.-м.н. Бондаренко Г.Г.). Терагерцовый (ТГц) диапазон частот в настоящее время интересен в плане создания элементной базы для генерации и приема сигналов. Этот диапазон частот пока ещё недостаточно изучен, что можно объяснить отсутствием простых и надежных источников сигнала данного диапазона. Существует несколько различных подходов к созданию таких источников, среди которых одним из перспективных является использование идей спинтроники. При этом излучение возникает в магнитных переходах, образованных контактом как минимум двух ферромагнитных слоев. Согласно спин-инжекционному принципу, электроны, переходя из одного магнитного слоя в другой (с иной намагниченностью), изменяют свою энергию и импульс при сохранении спинового состояния. Таким образом, часть электронов переходит в возбужденные состояния, что может приводить к последующей генерации электромагнитного излучения. При этом энергия возбужденных электронов определяется обменным sd-взаимодействием, что и определяет частоту генерируемого излучения, попадающего в ТГц-диапазон (от единиц до десятков ТГц). В работе А.С.Шаталова предпринята попытка создания магнитных переходов в структурах двух типов. Первый тип структур – это массив параллельных нанопроволок из ферромагнитного металла, контактирующий с ферромагнитной пленкой из другого металла. Второй тип структур – множество параллельных нанопроволок, каждая из которых образована двумя контактирующими участками из различных ферромагнетиков. Такие структуры - массивы параллельных нанопроволок – были созданы методом матричного синтеза: два различных ферромагнитных металла последовательно осаждались в поры специальной матрицы – трековой мембраны. Полученные в экспериментах результаты продемонстрировали возможность возбуждения электромагнитных колебаний в спин-инжекционном излучателе, построенном на базе массива параллельных нанопроволок из ферромагнитных металлов.

Доклад был с интересом воспринят участниками конференции, были заданы вопросы по постановке эксперимента и механизмам протекающих физических процессов.

Представленные доклады опубликованы в виде сборника материалов конференции.

www.swiss-apo.net

Аккумуляторы

4motors.com.ua/